반도체 발전 역사 - bandoche baljeon yeogsa

위대한 여정

소박한 출범에서 세계 반도체 시장의 리더가 되기까지
혁신을 향한 끊임없는 열정이 우리 역사 곳곳에 스며들어 있습니다.

미래를 설계하다 2010-Recent

2018

• 한국 화성 EUV 라인, 중국 시안 두 번째 메모리 라인 착공
• 5세대 V-NAND 양산 시작 및 업계 최초 8Gb LPDDR5 개발
• 삼성전자 최초 5G 모뎀 Exynos Modem 5100 개발
• 자동차 솔루션 브랜드, Exynos Auto 및 ISOCELL Auto 출시
• EUV 기반 7 nm LPP 생산 시작

2017

• 대한민국 평택에서 생산 시작
• 파운드리 사업부 시스템 LSI 사업에서 분리
• 2세대 10 nm FinFET 공정 양산 시작

2016

• 업계 최초 10 nm FinFET SoC 양산 개시
• 업계 최초 10 nm급 DRAM 양산 개시

2015

• 17번째 생산 라인 가동
• 업계 최초 14 nm FinFET 모바일 AP 양산 개시
• 미국 반도체 사업장 신규 본부 개설

2013

• 20 nm급 8 Gb mobile DRAM (LPDDR4) 대량 생산 시작
• 중국 시안(SCS) 생산 시작

2013

• 업계 최초 3D Vertical NAND (V-NAND) 메모리 양산 개시
• big.LITTLE ™ 아키텍처를 구현한 업계 최초의 모바일 AP 인 Exynos 5 Octa 소개

2011

• 30 nm급 4 Gb mobile DRAM (LPDDR2) 대량 생산 시작
• 브랜드 애플리케이션 프로세서, Exynos 출시

2010

• 업계 최초 32 nm HKMG 프로세스 개발
• 20 nm급 NAND flash 대량 생산 시작

지속적으로 발전하다 2000-2009

2009

• 40 nm급 2 Gb DRAM 대량 생산 시작

2007

• 미국 오스틴(SAS)에서 두 번째 생산 라인 가동 시작

2006

• 업계 최초 16-chip MCP 개발
• 업계 최초 32 GB SSD 개발

2005

• 업계 최초 DDR3 SDRAM 개발

2004

• 업계 최초 60 nm급 8 Gb NAND flash 개발

2003

• 플래시 메모리 시장 점유율 최고 수준 달성

2002

• LCD Driver IC 시장 점유율 최고 수준 달성
• 업계 최초 90 nm급 2 Gb NAND flash개발

2000

• 화성 부지 설립

중심에 서다 1990-1999

1998

• 업계 최초 128 Mb 플래시 메모리 수출 시작
• 미국 오스틴(SAS)에서 생산 시작

1996

• 업계 최초 1 Gb DRAM 개발

1994

• 업계 최초 256 Mb DRAM 개발

1993

• 업계 최초 200 mm 제조 라인 개통 (5 라인)
• 세계 메모리 시장 점유율 최고 수준 달성

1992

• 업계 최초 64 Mb DRAM 개발
• 세계 DRAM 시장 점유율 최고 수준 달성

역사를 쓰다 1980-1989

1988

• 4 Mb DRAM 개발

1986

• 1 Mb DRAM 개발

1984

• 대한민국, 기흥 라인 1 오픈
• 256 Kb DRAM 개발

1983

• VLSI 사업 시작
• 64 Kb DRAM 개발
• E기흥 부지 설립

씨앗을 심다 1974-1979

1975

• LED 손목시계용 IC 양산 시작

1974

• 삼성전자의 한국반도체 인수